瑞银：中国光刻机落后ASML近15年，尖端EUV短期难见替代方案
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蔡司：中国开发EUV落后15年，但出口管制恐反助其本土创新
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香港01
瑞銀：中國光刻機落後ASML近15年 尖端EUV短期難見替代方案
瑞銀集團分析師預計，中國半導體制造能力未來十年內可能仍難取得足夠進展，以開發出可替代阿斯麥（ASML，又譯艾司摩爾）尖端極紫外光刻（EUV）技術
