DRAM 提产速度仅能满足市场六成需求,短缺、涨价仍将持续数年
https://www.ithome.com/0/940/978.htm
三星电子计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂,但全面量产预计要到 2027 年或更晚。同时,该工厂还将生产逻辑芯片,一定程度上限制了其内存产能的扩张空间。
正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存(HBM),即用于人工智能芯片的高性能 DRAM,但预计要到 2028 年或更晚才会投产。
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三星电子计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂,但全面量产预计要到 2027 年或更晚。同时,该工厂还将生产逻辑芯片,一定程度上限制了其内存产能的扩张空间。
正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存(HBM),即用于人工智能芯片的高性能 DRAM,但预计要到 2028 年或更晚才会投产。