每日消费电子观察
英特尔重返存储赛道?正与软银携手将 ZAM 商业化 https://www.cls.cn/detail/2278744 https://www.softbank.jp/~ ZAM(Z-Angle Memory)是一种具有高容量、高带宽和低功耗特性的下一代内存技术。技术细节没公布,从 Next Generation DRAM Bonding (NGDB)的名称推断,是类似HBM的另一种堆叠式 DRAM。
英特尔 ZAM 内存原型首秀:功耗暴降 50%,单芯片 512GB

https://www.ithome.com/0/921/000.htm

根据现场公布的营销资料,ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示,得益于 Z-Angle 互连技术,新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是,其单芯片存储容量最高可达 512GB,这一数据远超当前主流内存产品的规格。
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那么代价是什么呢?
 
 
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