SK 海力士新技术破解存内计算瓶颈：3D FeNAND 能效提升 7.17 倍、算力提升 20.4 倍

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对此，SK 海力士提出了一种基于三维铁电 NAND（FeNAND）的模拟存内计算方案，该方案在实现更低功耗的同时兼具超高密度。