比利時 imec（校際微電子中心） 與根特大學（Ghent University） 研究團隊宣布，在 300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si/SiGe 疊層結構，視為推動 3D DRAM 的重要突破。 這項成果已發表於 《Journal of Applied Physics》。隨著傳統 ...