LPW DRAM（Low Power Wide I/O DRAM）是移动 HBM 的一种技术形态。该技术通过将常规 LPDDR DRAM 堆叠 8 层或 12 层来提高数据吞吐量，并具有低功耗的优势。
因尺寸较小，LPW DRAM并不适用于与 HBM 相同的 TSV（硅通孔） 连接方案；同时，HBM 制造工艺的高成本及低良率特性，也无法满足高产能移动 DRAM 的需求。因此，三星电子和 SK 海力士分别采用了VCS（垂直铜柱堆叠）和 VFO（垂直线扇出）来替代。