三星开发完成 400 层堆栈 NAND Flash，预计最快 2025 年第二季末量产
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三星完成 400 層堆疊 NAND Flash，最快 2025 年第二季量產
韓國媒體報導表示，三星半導體研究所完成突破性 400 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體開發。11 月開始將技術轉移到平澤園區一號工廠產線。重要的里程碑使三星處於 NAND Flash 領先位置，超過開始量產 321 層堆疊 NAND Flash 的 SK 海力士。 BusinessKorea...
