台积电 N2 工艺远胜英特尔 18A，主要优势在 SRAM 密度更高

每日消费电子观察

坏消息：台积电 SRAM 微缩遇到瓶颈，卡在了5纳米！ https://www.eetop.cn/semi/6957931.html https://fuse.wikichip.org/news/7343/ 现在 SRAM 比逻辑电路更难提高密度，在容量不变的情况下SRAM面积占比会变高，不利于提高性能 ======== TLDR:各种缓存堆不动了利好叠叠乐

台积电 N2 工艺远胜英特尔 18A，主要优势在 SRAM 密度更高
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之前台积电还说 SRAM 提高密度遇到困难呢……
另外 Intel 已经用上 High-NA EUV 了，台积电还在用普通 EUV 光刻机。