迈向 3D 内存：三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

https://www.ithome.com/0/769/594.htm

目前三星电子已在内部实现了 16 层堆叠的 VS-CAT DRAM，美光方面处于 8 层堆叠的水平。