阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破,成功印刷 10 纳米线宽图案
https://www.ithome.com/0/762/554.htm
ASML 公司在声明中表示:“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽(dense line)图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现,并最终在现实生产环境中复制这一成果。”
https://www.ithome.com/0/762/554.htm
ASML 公司在声明中表示:“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽(dense line)图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现,并最终在现实生产环境中复制这一成果。”