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长鑫存储GAA技术可适用3纳米芯片 https://www.eet-china.com/mp/a274310.html 存储器DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（GAA）技术，适用于尖端3纳米级芯片。 长鑫存储发表声明称，该论文描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。