据中科院微电子研究所消息，随着尺寸的不断微缩，1T1C 结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统 1T1C-DRAM 面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的 2T0C-DRAM 有望突破 1T1C-DRAM 的微缩瓶颈，在 3D DRAM 方面发挥更大的优势