NAND闪存厂商都准备在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的3DNAND闪存过渡的里程碑。据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3DNAND闪存芯片的厂商。